반응형 SourceDrain1 [전자/소자/반도체] Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까? Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까?채널 이동도를 높이고 Gate 길이를 줄여도 전류는 Source Contact로 들어가 채널을 지난 뒤 Drain Contact로 빠져나가야 합니다. 이 입구와 출구의 저항이 크면 채널을 개선해도 전체 전류는 크게 늘지 않습니다.핵심부터 말하면Contact Resistance(접촉저항) 는 금속과 Source/Drain 반도체의 경계에서 발생합니다. 소자가 작아지면 Channel Resistance는 줄지만 Contact 면적도 작아져 Contact Resistance는 커질 수 있습니다. 결국 Contact가 On Current와 Switching Speed를 제한합니다.즉, 차세대 트랜지스터에서는 채널만 빠르게 만드는 것보다.. 2026. 9. 26. 이전 1 다음 반응형
