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[전자/반도체] Backside Power Delivery란 무엇인가? 전원을 칩 뒤에서 공급하는 이유 [전자/반도체] Backside Power Delivery란 무엇인가? 전원을 칩 뒤에서 공급하는 이유 칩 안의 배선을 들여다보는 리멤버미입니다. 트랜지스터가 아무리 빨라도 전원이 제대로 도착하지 않으면 원하는 속도로 동작할 수 없습니다. 미세화가 진행될수록 전원을 어디로 보낼지가 소자 구조만큼 중요해집니다.Backside Power Delivery는 전력 공급 배선을 웨이퍼 후면으로 옮겨, 전면의 신호 배선과 전력망을 분리하는 기술입니다. 트랜지스터에 전원을 안정적으로 전달하면서 신호가 지나는 공간도 확보하려는 접근입니다.1. 기존에는 전원과 신호가 같은 공간을 쓴다트랜지스터 위에는 여러 층의 금속 배선이 쌓입니다. 이를 후공정 배선 영역인 BEOL(Back-End-of-Line)이라고 합니다. 이곳에서 회로의 신호가 이동하고, VDD와 VSS도 각 소자로 전달됩니다.전력망은 큰 전류를 작은 손실로 보내.. 2026. 11. 7.
[전자/반도체] Hybrid Bonding이란 무엇인가? 칩과 칩을 직접 붙이는 기술 [전자/반도체] Hybrid Bonding이란 무엇인가? 칩과 칩을 직접 붙이는 기술 칩을 연결하는 방법을 살펴보는 리멤버미입니다. 두 칩을 가까이 놓아도 연결점이 크고 성기면 많은 데이터를 동시에 주고받기 어렵습니다. 3차원 집적에서는 칩 사이 거리와 함께 접속점의 크기·간격이 중요합니다.Hybrid Bonding은 절연막끼리의 접합과 금속끼리의 직접 접합을 함께 사용하는 기술입니다. 대표적으로 Cu–Cu 연결이 전기적 통로를 만들고, 주변 절연막의 접합이 넓은 면에서 구조를 지지합니다. 두 종류의 접합을 결합한다는 데서 Hybrid라는 이름이 붙었습니다.1. Microbump와 무엇이 다를까?Microbump 연결은 작은 돌출 접속점을 이용해 칩을 연결합니다. 일반적인 솔더 기반 구조에는 Bump 높이와 접합부 형성 공간이 필요합니다.반면 Hybrid Bonding은 평탄화한 두 표면.. 2026. 11. 7.
[전자/반도체] Optical I/O란 무엇인가? 칩 사이 데이터를 빛으로 보내는 이유 [전자/반도체] Optical I/O란 무엇인가? 칩 사이 데이터를 빛으로 보내는 이유 데이터가 이동하는 길을 살펴보는 리멤버미입니다. AI 연산기가 많아져도 필요한 데이터가 제때 도착하지 않으면 연산기는 기다립니다. 이때 문제는 계산 능력뿐 아니라 칩 밖으로 데이터를 내보내는 I/O(Input/Output)입니다.Optical I/O는 전기 신호를 빛에 실어 전달하고, 수신 지점에서 다시 전기 신호로 바꾸는 입출력 기술입니다. 칩 내부의 모든 연산을 빛으로 바꾸는 것이 아니라, 데이터 이동 경로에 광학을 활용하는 접근입니다.1. 전기 배선은 왜 부담이 될까?금속 배선을 통해 빠른 신호를 멀리 보내면 손실과 반사, 인접 신호의 간섭을 관리해야 합니다. 더 높은 속도에서는 수신 신호를 복원하는 Equalization 등의 회로 부담도 커질 수 있습니다.전송량을 늘리기 위해 전기 연결 개수를 .. 2026. 11. 7.
[전자/반도체/면접질문] DRAM에서 Refresh가 필요한 이유는 무엇일까? Retention Time의 의미 [전자/반도체/면접질문] DRAM에서 Refresh가 필요한 이유는 무엇일까? Retention Time의 의미 DRAM은 전원을 켜 놓아도 데이터를 그대로 영원히 보관하지 못합니다. 저장 커패시터를 회로에서 떼어 두더라도 전하가 완벽하게 갇혀 있지는 않기 때문입니다. 그래서 메모리에는 계산과 무관하게 반복해야 하는 보존 작업이 있습니다.Q1. 면접관 질문DRAM에서 Refresh가 필요한 이유는 무엇인가요? Retention Time과 Refresh 주기를 구분하고, 성능·전력에 미치는 영향도 설명해 보세요.Q2. 핵심 원리전원이 있어도 저장 노드는 완전히 고립되지 않는다Refresh는 누설로 약해진 셀의 전하 상태를 판별하고 다시 충분한 상태로 복원하는 동작입니다. 접근 트랜지스터를 꺼도 Subthreshold 전류, 접합 누설, 절연막·결함 관련 경로 등이 남습니다.누설의 방향과 크기는 저장 상태 및 전위에 .. 2026. 11. 5.
[전자/반도체/면접질문] HBM은 기존 DRAM과 무엇이 다를까? TSV와 넓은 데이터 통로 [전자/반도체/면접질문] HBM은 기존 DRAM과 무엇이 다를까? TSV와 넓은 데이터 통로 HBM을 DRAM의 경쟁 저장 원리처럼 생각하면 설명이 꼬이기 쉽습니다. HBM도 DRAM입니다. 차이는 셀의 휘발성을 바꾼 데보다, 많은 DRAM과 연산 칩 사이의 데이터 이동 방식을 바꾼 데 있습니다.Q1. 면접관 질문HBM은 일반적인 DDR 계열 DRAM 구성과 무엇이 다르며, 적층·TSV가 대역폭과 전력 효율에 어떤 영향을 주나요?Q2. 핵심 원리많이 쌓는 것과 빠르게 보내는 것은 다르다HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 DRAM 다이를 적층하고, 짧고 넓은 인터페이스로 연산 칩과 연결해 높은 대역폭을 확보하는 메모리입니다. 여러 개를 쌓았다는 사실만으로 대역폭이 자동으로 커지는 것은 아닙니다. 병렬 데이터 경로와 채널 구성도 필요합니다.기존 DDR 메모리는 일반적으로 메인보드.. 2026. 11. 5.
[전자/반도체/면접질문] DRC와 LVS는 무엇이며 어떻게 다를까? Layout 검증의 두 질문 [전자/반도체/면접질문] DRC와 LVS는 무엇이며 어떻게 다를까? Layout 검증의 두 질문 Layout에서 선이 깔끔하게 보인다고 원하는 회로가 만들어지는 것은 아닙니다. 반대로 회로 연결이 맞아도 공정이 허용하는 간격을 어기면 문제가 됩니다. DRC와 LVS는 이 서로 다른 질문에 답합니다.Q1. 면접관 질문DRC와 LVS의 차이를 설명하고, 하나는 통과했지만 다른 하나는 실패하는 예를 들어 보세요.Q2. 핵심 원리DRC: 이 형상이 공정 규칙에 맞는가?설계 규칙 검사(Design Rule Checking, DRC)는 Layout의 형상과 층 관계가 공정의 Rule Deck을 만족하는지 확인합니다. 대표적으로 최소 폭, 최소 간격, Enclosure, Overlap과 면적·밀도 조건 등이 있습니다.DRC는 형상·공정 규칙의 적합성을, LVS는 Layout이 기준 회로와 전기적으로 일치하는지를.. 2026. 11. 4.
[전자/반도체/면접질문] DRAM은 어떻게 데이터를 저장하고 읽을까? 1T1C와 Sense Amplifier [전자/반도체/면접질문] DRAM은 어떻게 데이터를 저장하고 읽을까? 1T1C와 Sense Amplifier DRAM의 데이터를 읽는 일은 작은 저장 커패시터에 전압계를 붙이는 것보다 복잡합니다. 긴 배선과 전하를 나눈 뒤 생기는 미세한 차이를 증폭하고, 흐트러진 저장 상태까지 복원해야 합니다.Q1. 면접관 질문DRAM의 1T1C 구조에서 데이터를 저장하고 읽는 과정을 Word Line, Bit Line, Sense Amplifier와 연결해 설명해 보세요.Q2. 핵심 원리저장 셀은 스위치와 커패시터대표적인 DRAM 셀은 접근 트랜지스터 1개와 저장 커패시터 1개로 구성됩니다. 이를 1T1C라고 합니다. 트랜지스터의 Gate는 행을 선택하는 Word Line(WL), 한쪽 단자는 Bit Line(BL), 다른 쪽은 커패시터의 저장 노드에 연결됩니다. 커패시터의 반대쪽 전극은 정해진 Plate 전위에 연결됩니다... 2026. 11. 4.
[전자/반도체/면접질문] Setup Time과 Hold Time은 무엇이며 왜 중요할까? 위반 해결 방법까지 [전자/반도체/면접질문] Setup Time과 Hold Time은 무엇이며 왜 중요할까? 위반 해결 방법까지 Flip-Flop은 클록 에지에서 데이터를 저장하지만, 실제 회로의 내부 노드가 상태를 결정하는 데는 시간이 필요합니다. 사진을 찍을 때 셔터 전후로 피사체가 안정돼 있어야 하는 것처럼 데이터에도 안정 구간이 필요합니다.Q1. 면접관 질문Setup Time과 Hold Time을 설명하고, 각각의 위반이 발생했을 때 해결 방법을 이야기해 보세요.Q2. 핵심 원리같은 에지의 앞과 뒤를 보호한다Setup Time은 캡처 클록 에지 이전에, Hold Time은 에지 이후에 데이터가 안정되어야 하는 최소 시간입니다. 내부 저장 동작을 완료하기 위한 라이브러리 특성으로, 데이터·클록의 전환 속도와 동작 조건에 따라 달라집니다.설명용으로 캡처 에지를 t=0, Setup을 80 ps, Hold를 30 ps라고 두면 D.. 2026. 11. 3.
[전자/반도체/면접질문] MOSFET의 Threshold Voltage는 무엇에 의해 결정될까? [전자/반도체/면접질문] MOSFET의 Threshold Voltage는 무엇에 의해 결정될까? 같은 Gate 전압을 걸어도 어떤 MOSFET은 전류가 잘 흐르고 어떤 소자는 상대적으로 조용합니다. 그 차이를 이해하려면 문턱전압을 고정된 스위치 숫자보다 전하와 전압의 균형으로 바라보는 편이 좋습니다.Q1. 면접관 질문MOSFET의 문턱전압(Threshold Voltage, Vth)은 무엇이며, 산화막 두께·기판 도핑·Body 전압은 Vth에 어떤 영향을 주나요?Q2. 핵심 원리Gate 전압은 어디에 쓰일까?Vth는 반도체 표면에 강한 반전 상태가 형성되는 기준 전압이며, Gate와 반도체의 일함수 차이, 절연막 용량, 공핍 전하와 Body 바이어스에 의해 달라집니다. 여기서는 균일한 p형 기판을 가진 장채널 NMOS를 기준으로 설명합니다.Gate에 양전압을 걸면 표면의 정공이 밀려나 공핍층이 형성되.. 2026. 11. 3.
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