반응형 문턱전압4 [전자/반도체] 드레인 유도 장벽 저하(DIBL _ Drain-Induced Barrier Lowering)는 왜 짧은 채널에서 심해지는가 (short-channel effect) 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 리멤버미입니다. 반도체 소자 이야기를 하다 보면 짧은 채널(short channel)에서 나타나는 여러 현상 중 하나로 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering) 이라는 말을 자주 보게 됩니다.특히 MOSFET 스케일링, 누설 전류, 문턱전압 변화, short-channel effect를 설명할 때 거의 빠지지 않고 등장합니다.그런데 처음 이 개념을 접하면 이런 생각이 들 수 있습니다.“문턱전압은 gate가 정하는 것 아닌가?”“왜 drain 전압이 커졌다고 source 쪽 장벽까지 낮아지지?”“그리고 왜 이 현상이 짧은 채널에서 훨씬 더 심해지는 걸까?”핵심만 먼저 말하면,DIBL이 짧은 채널에서 심해지는 이유는 gate가 혼자 .. 2026. 4. 11. [전자/반도체] 바디 효과(Body Effect)는 문턱전압(Vth)을 어떻게 바꾸는가: 소스 전압이 올라가면 왜 더 안 켜질까 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 리멤버미입니다. MOSFET이나 CMOS 회로를 보다 보면 문턱전압 Vth를 하나의 고정된 값처럼 다루는 경우가 많습니다.그런데 실제 회로에서는 Vth가 항상 그대로 있지 않습니다. 특히 source와 body(또는 bulk, substrate) 사이에 전압이 생기면, 문턱전압 자체가 달라집니다. 이 현상을 바로 바디 효과(Body Effect) 또는 substrate bias effect라고 부릅니다.이번 글은 좀 이해하기 어려울 수 있습니다. 먼저 핵심부터 짚고 차근차근 풀어가겠습니다. 2026.04.09 - [기억하고 싶은 지식/반도체] - [전자/반도체]문턱전압(Vth)이란 무엇인가: 트랜지스터가 켜지는 진짜 기준 [전자/반도체]문턱전압(Vth)이.. 2026. 4. 11. [전자/전기/반도체]Vth를 추출하는 기준 수식들은 무엇인가: 왜 방법마다 값이 조금씩 다를까 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 리멤버미입니다. 반도체 소자 이야기를 하다 보면 문턱전압(Vth)은 자주 등장하지만, 막상 측정이나 모델링 단계로 들어가면 곧바로 이런 질문이 생깁니다.“그래서 Vth는 정확히 어디서 읽는 값인가?”“왜 논문마다, 장비마다, 추출식마다 Vth 값이 조금씩 다르게 나오지?”이 질문에 대한 가장 중요한 답은 의외로 단순합니다.Vth는 하나의 그래프 위에서 눈으로 딱 찍히는 점이 아니라, ‘어떤 기준으로 문턱을 정의할 것인가’에 따라 추출되는 값이라는 점입니다. MOSFET의 약반전(weak inversion)에서 강반전(strong inversion)으로 넘어가는 전이는 매우 완만해서, ID−VGI_D-V_GID−VG 곡선 위에 “여기가 진짜 문턱”이라고.. 2026. 4. 10. [전자/반도체]문턱전압(Vth)이란 무엇인가: 트랜지스터가 켜지는 진짜 기준 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 리멤버미입니다. 반도체나 디스플레이, 회로 이야기를 보다 보면 문턱전압(Vth, Threshold Voltage) 이라는 말을 정말 자주 보게 됩니다.MOSFET 설명에서도 나오고, TFT 설명에서도 나오고, 공정이나 소자 특성 그래프를 볼 때도 빠지지 않습니다.그런데 막상 이 개념을 처음 접하면 이런 생각이 들 수 있습니다. “문턱전압이면, 이 전압을 넘는 순간 바로 스위치처럼 켜진다는 뜻인가?”“Vth 아래에서는 전류가 아예 0이고, 위에서는 완전히 ON인 건가?” 결론부터 말하면 그렇게 딱 잘리는 개념은 아닙니다.문턱전압은 트랜지스터가 ‘이제부터 채널이 의미 있게 형성되기 시작한다’고 보는 기준점에 가깝고, 실제 전류는 그 전후에서 연속적으로 변합니.. 2026. 4. 9. 이전 1 다음 반응형
