반응형 2D반도체2 [전자/소자/반도체] Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까? Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까?채널 이동도를 높이고 Gate 길이를 줄여도 전류는 Source Contact로 들어가 채널을 지난 뒤 Drain Contact로 빠져나가야 합니다. 이 입구와 출구의 저항이 크면 채널을 개선해도 전체 전류는 크게 늘지 않습니다.핵심부터 말하면Contact Resistance(접촉저항) 는 금속과 Source/Drain 반도체의 경계에서 발생합니다. 소자가 작아지면 Channel Resistance는 줄지만 Contact 면적도 작아져 Contact Resistance는 커질 수 있습니다. 결국 Contact가 On Current와 Switching Speed를 제한합니다.즉, 차세대 트랜지스터에서는 채널만 빠르게 만드는 것보다.. 2026. 9. 26. [전자/소자/반도체] 실리콘 채널은 왜 더 이상 얇아지기 어려울까? 2D 소재가 필요한 이유 Gate 길이가 짧아질수록 Gate가 채널 전체를 지배하기 어려워집니다. 이를 해결하기 위해 FinFET과 Gate-All-Around처럼 Gate가 채널을 감싸는 구조가 등장했고, Silicon 채널도 계속 얇아졌습니다. 그렇다면 Silicon을 원자 몇 층까지 줄이면 스케일링 문제를 해결할 수 있을까요?핵심부터 말하면채널을 얇게 만들면 Gate의 Electrostatic Control은 좋아집니다. 하지만 Silicon이 극도로 얇아지면 양자 구속(Quantum Confinement), 계면 거칠기, 두께 편차, 이동도 저하와 결함 영향이 커집니다. 즉, 전기적으로는 얇을수록 유리하지만 재료와 계면의 관점에서는 계속 얇게 만들기 어려운 Trade-off가 생깁니다.2D Semiconductor는 원래.. 2026. 9. 22. 이전 1 다음 반응형
