반응형 MobilityDegradation1 [전자/소자/반도체]MOSFET의 이동도(Mobility)는 왜 전계가 강해지면 감소할까? MOSFET의 Gate 전압을 높이면 채널에 더 많은 전자가 모이므로 Drain 전류도 계속 이상적으로 증가할 것처럼 보입니다. 하지만 실제 소자에서는 Gate 전압이 커질수록 채널의 유효 이동도(Effective Mobility)가 낮아지는 현상이 나타납니다. 전자를 더 강하게 끌어모았는데 왜 오히려 이동은 어려워질까요?핵심부터 말하면Gate 전압이 증가하면 산화막에 수직한 전계(Vertical Field)가 강해지고, 반전층 전자들이 Si-SiO₂ 계면 가까이 압축됩니다. 전자가 계면에 가까워질수록 표면 거칠기와 계면 전하의 영향을 더 자주 받으며 산란합니다. 그 결과 채널 방향으로 이동하는 평균 속도가 전계에 비례해 증가하기 어려워지고, 측정되는 유효 이동도가 감소합니다.이 현상을 Mobility .. 2026. 9. 19. 이전 1 다음 반응형
