반응형 shortchanneleffect2 [전자/소자/반도체] 실리콘 채널은 왜 더 이상 얇아지기 어려울까? 2D 소재가 필요한 이유 Gate 길이가 짧아질수록 Gate가 채널 전체를 지배하기 어려워집니다. 이를 해결하기 위해 FinFET과 Gate-All-Around처럼 Gate가 채널을 감싸는 구조가 등장했고, Silicon 채널도 계속 얇아졌습니다. 그렇다면 Silicon을 원자 몇 층까지 줄이면 스케일링 문제를 해결할 수 있을까요?핵심부터 말하면채널을 얇게 만들면 Gate의 Electrostatic Control은 좋아집니다. 하지만 Silicon이 극도로 얇아지면 양자 구속(Quantum Confinement), 계면 거칠기, 두께 편차, 이동도 저하와 결함 영향이 커집니다. 즉, 전기적으로는 얇을수록 유리하지만 재료와 계면의 관점에서는 계속 얇게 만들기 어려운 Trade-off가 생깁니다.2D Semiconductor는 원래.. 2026. 9. 22. [전자/반도체] 드레인 유도 장벽 저하(DIBL _ Drain-Induced Barrier Lowering)는 왜 짧은 채널에서 심해지는가 (short-channel effect) 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 리멤버미입니다. 반도체 소자 이야기를 하다 보면 짧은 채널(short channel)에서 나타나는 여러 현상 중 하나로 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering) 이라는 말을 자주 보게 됩니다.특히 MOSFET 스케일링, 누설 전류, 문턱전압 변화, short-channel effect를 설명할 때 거의 빠지지 않고 등장합니다.그런데 처음 이 개념을 접하면 이런 생각이 들 수 있습니다.“문턱전압은 gate가 정하는 것 아닌가?”“왜 drain 전압이 커졌다고 source 쪽 장벽까지 낮아지지?”“그리고 왜 이 현상이 짧은 채널에서 훨씬 더 심해지는 걸까?”핵심만 먼저 말하면,DIBL이 짧은 채널에서 심해지는 이유는 gate가 혼자 .. 2026. 4. 11. 이전 1 다음 반응형
