반응형 OxideTFT1 [전자/소자/반도체/디스플레이] Oxide TFT의 Bias Stress는 왜 문턱전압을 이동시키는가 Oxide TFT에 같은 전압을 오래 인가한 뒤 ID–VG 특성을 다시 측정하면 곡선이 옆으로 이동할 수 있습니다. 영구적인 파괴처럼 보이지만, 쉬게 하거나 반대 극성 전압을 인가했을 때 일부가 회복되기도 합니다.이 현상을 이해하는 핵심이 Bias Stress와 Charge Trapping입니다.먼저 결론부터 보면Oxide TFT에 Gate 전압이 오랫동안 인가되면 채널, 채널과 절연막의 계면, 또는 게이트 절연막 내부의 결함 상태에 전하가 포획될 수 있습니다. 포획된 전하는 원래 Gate 전압이 만들던 전기장을 일부 강화하거나 상쇄합니다.따라서 동일한 채널 전하를 만들기 위해 이전과 다른 Gate 전압이 필요해지고, 측정된 문턱전압(Threshold Voltage)이 이동합니다.쉽게 말하면 Gate 전.. 2026. 9. 7. 이전 1 다음 반응형
