반응형 Nanosheet2 [전자/소자/반도체] Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까? Contact Resistance가 왜 차세대 트랜지스터 성능의 병목이 될까?채널 이동도를 높이고 Gate 길이를 줄여도 전류는 Source Contact로 들어가 채널을 지난 뒤 Drain Contact로 빠져나가야 합니다. 이 입구와 출구의 저항이 크면 채널을 개선해도 전체 전류는 크게 늘지 않습니다.핵심부터 말하면Contact Resistance(접촉저항) 는 금속과 Source/Drain 반도체의 경계에서 발생합니다. 소자가 작아지면 Channel Resistance는 줄지만 Contact 면적도 작아져 Contact Resistance는 커질 수 있습니다. 결국 Contact가 On Current와 Switching Speed를 제한합니다.즉, 차세대 트랜지스터에서는 채널만 빠르게 만드는 것보다.. 2026. 9. 26. [전자/소자/반도체] CFET이란 무엇인가? GAA 다음에는 왜 트랜지스터를 위아래로 쌓을까? FinFET 다음 구조인 GAA Nanosheet는 Gate가 채널의 네 면을 감싸도록 만들었습니다. Gate Control은 좋아졌지만, CMOS의 nFET과 pFET은 여전히 평면에서 각각 자리를 차지합니다.핵심부터 말하면CFET(Complementary Field-Effect Transistor) 은 nFET과 pFET을 나란히 놓는 대신 위아래로 적층하는 구조입니다. 두 소자의 가로 공간을 하나의 Footprint로 겹쳐 Standard Cell 면적을 줄입니다.GAA가 채널을 Gate로 더 잘 제어하기 위한 구조라면, CFET은 GAA 계열 소자를 수직으로 배치해 CMOS의 공간 효율까지 높이려는 접근입니다.GAA Nanosheet에서도 남는 공간은 무엇일까CMOS Inverter는 nFET과 .. 2026. 9. 23. 이전 1 다음 반응형
