반응형 기억하고 싶은 지식/반도체14 [전자/반도체/IT]GAA 트랜지스터란 무엇인가: FinFET 다음은 왜 나노시트인가 안녕하세요.“기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 “리멤버미” 입니다. 반도체 공정을 보다 보면 FinFET 다음 세대로 GAA, 그리고 그 구현 형태로 나노시트(nanosheet)라는 표현이 자주 나옵니다.특히 3nm, 2nm 같은 미세 공정 이야기를 볼 때 이 용어들이 거의 같이 등장합니다. 핵심만 먼저 말하면,GAA는 gate가 채널을 더 완전히 감싸서 전류 제어력을 높인 구조이고, 나노시트는 그 GAA를 실제 양산 관점에서 유리하게 구현한 대표 형태입니다. 그래서 FinFET 이후의 주력 구조로 빠르게 넘어가고 있습니다.먼저 FinFET은 무엇이었나기존 평면(planar) 트랜지스터에서는 채널을 아주 작게 줄일수록 gate가 전류를 통제하는 힘이 약해지고, 누설 전류와 short-channel e.. 2026. 4. 9. [전자/반도체/AI] HBM4는 왜 AI 시대의 핵심 메모리가 됐나? 초보자도 이해하는 메모리 병목의 핵심 안녕하세요. “기억하고자 하는 모든 것”을 담아내는 “리멤버미” 입니다. AI 반도체 이야기를 보다 보면 GPU 이름보다 먼저 HBM이라는 단어가 자주 보입니다.특히 최근에는 HBM3E를 넘어 HBM4가 왜 중요한지에 대한 이야기가 빠지지 않습니다. 핵심만 먼저 말하면,HBM4는 AI 칩이 계산을 못해서 느린 것이 아니라, 필요한 데이터를 제때 못 받아서 느려지는 문제를 줄이기 위해 중요해진 메모리입니다. NVIDIA는 LLM 추론의 decode 단계가 대체로 메모리 대역폭에 묶여 있고, GPU가 계산보다 KV cache를 옮기는 데 더 많은 시간을 쓴다고 설명합니다. Micron도 AI 시대의 핵심 메모리 문제를 latency 하나가 아니라 scale, bandwidth, energy로 정리하고 있습니.. 2026. 4. 9. [전자/디스플레이/회로] NMOS와 PMOS의 신호 전달 특성 안녕하세요. "기억하고자 하는 모든 것"을 담아내는 "리멤버미" 입니다. 오늘은 NMOS와 PMOS의 신호 전달 특성에 대해 알아보겠습니다. NMOS의 경우 아래 그림과 같이 0V는 잘 전달하지만 Vdd는 Vth 만큼 깎여서 전달하게 됩니다. Gate에 Vdd가 걸려서 NMOS가 on 되었다고 하면 Vgs는 Vdd-0V 이며 값이 변하지 않게됩니다. 그러므로 Vout이 0V에 도달할때까지 전류는 흐르게 됩니다. 반면에 Vin에 Vdd를 걸어주게 되면 Source 는 Vout이 됩니다. 이때 Vgs는 Vdd-Vout 전압으로 Vin에 의해 Vout이 Vdd에 가까워 질수록 Vgs는 0에 가까워집니다. 하지만 Vgs는 NMOS의 Vth 전압 이상이되야 on되기 때문에 Vout이 Vdd-Vth값에 도달하게되면.. 2023. 2. 18. [전자/반도체/회로]Static 과 Dynamic 회로의 명확한 구분! 면접 질문! 안녕하세요. "기억하고자 하는 모든 것"을 담아내는 "리멤버미" 입니다. 디지털회로 관련 공부하다보면 Static 회로와 dynamic회로를 접하게 되는데요. 가끔 면접관 질문으로도 등장하게 됩니다. 애매한 개념으로 알고계신분들이 많으실텐데 명확하게 구분해드리겠습니다. static과 dynamic은 영단어에서 알 수 있듯이 정적,동적이란 의미를 가지고 있습니다. 그렇다면 무엇이 정적이고 동적인 것일까? 아래 그림에 CMOS와 CLK이 들어간 회로가 있습니다. 우선 결론만 말씀드리면 CMOS는 Static 회로, CLK이 들어간 회로는 Dynamic 회로입니다. 여기서 두 회로의 동작 과정을 살펴봐야하는데요. 먼저 CMOS의 경우 입력 신호에 따라 Vout이 VDD나 VSS에 연결이 됩니다. VDD와 VS.. 2023. 2. 7. [전자/반도체]NMOS와 PMOS의 Drain과 Source 위치가 가끔 헷갈리다면?! 꿀팁! 안녕하세요. "기억하고자 하는 모든 것"을 담아내는 "리멤버미" 입니다. Transistor를 공부하시는 분들이 공부했다가도 나중에 다시 헷갈리는 부분이 있는데요. 바로 NMOS와 PMOS의 Drain 과 Source 의 위치입니다. 사실 Transisotor 구조상으로 Source와 Drain을 정의할 수 없습니다. 왜냐하면 아래 그림(예시_coplanr 구조)과 같이 Transisotr 소자는 물리적으로 완전히 대칭이기 때문입니다. Source나 Drain은 어느쪽이나 될 수 있죠. 그래서 source와 drain을 결정 짓는 것은 회로 구조상에서의 전류 흐름인데요. 영단어를 해석하자면 source는 공급원 , drain은 배수구로 source에서 drain으로 흐르는 느낌이죠. 그런데, NMOS는 .. 2023. 2. 7. 이전 1 2 다음 반응형
